Forward characteristics of thyristors in the fired state
| ISSN: |
0038-1101
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|---|---|
| Source: |
Elsevier Journal Backfiles on ScienceDirect 1907 - 2002
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| Topics: |
Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
Physics
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| Type of Medium: |
Electronic Resource
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| URL: |
| _version_ | 1798291277823868928 |
|---|---|
| autor | Herlet, A. Raithel, K. |
| autorsonst | Herlet, A. Raithel, K. |
| book_url | http://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/0038-1101(66)90133-X |
| datenlieferant | nat_lic_papers |
| fussnote | Die Durchlassspannung von Thyristoren im gezundeten Zustand wird unter Gesichtspunkten diskutiert, die vor allem fur Leistungsthyristoren von Interesse sind. Bei hohen Durchlassstromen, also unter Bedingungen starker Injektion in beiden Basisgebieten, muss die Durchlassspannung eines Thyristors mit der eines pin-Gleichrichters gleicher Abmessungen identisch werden. Dies wird experimentell nachgewiesen, ebenso, dass die Durchlassspannung von der Dotierung der Basisgebiete unabhangig ist. Fur die Differenz der Durchlassspannung von Gleichrichter und Thyristor bei niedrigen Stromdichten wird eine einfache Naherungsformel abgeleitet und experimentell bestatigt. Die Tragerlebensdauer bei hohen Injektionen zeigt sich bei diesen Untersuchungen als unabhangig von der Dotierung. Dies wird auch durch fruhere Messungen bestatigt. | La tension directe des thyristors dans le sens passant est discutee des points de vue relatifs aux thyristors de puissance. Avec des courants directes eleves, c'est a dire ayant des niveaux d'injection tres eleves dans les deux regions de base, la tension directe d'un thyristor doit devenir identique a celle d'un redresseur pin de dimensions egales. Ceci est verifie experimentalement; on demontre aussi que la tension directe est independante du niveau de dope dans les regions de base. Pour expliquer la difference des tensions directes dans les deux dispositifs a faible densite de courant, une relation approximative simple est derivee et est prouvee experimentalement. On trouve que la duree de vie des porteurs aux fortes injections est independante du niveau de dope de ces experiences; ceci est confirme par de precedentes mesures. | The forward voltage of thyristors in the fired state is discussed from points of view which are especially relevant for power thyristors. With big forward currents, i.e. with high level injection in both base regions, the forward voltage of a thyristor should become identical with that of a pin rectifier of equal dimensions. This is verified by experiment; it is furthermore shown that the forward voltage is independent of the doping level in the base regions. For the difference of the forward voltages of both devices found with low current densities a simple approximate relation is derived and substantiated by experiment. The carrier lifetime with high injections is found to be independent of the doping level in these experiments; this was affirmed, too, by former measurements. |
| hauptsatz | hsatz_simple |
| identnr | NLZ179325280 |
| issn | 0038-1101 |
| journal_name | Solid State Electronics |
| materialart | 1 |
| package_name | Elsevier |
| publikationsort | Amsterdam |
| publisher | Elsevier |
| reference | 9 (1966), S. 1089-1105 |
| search_space | articles |
| shingle_author_1 | Herlet, A. Raithel, K. |
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| topic | ZN U |
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