Study of silicon photomultiplier performance in external electric fields

X.L. Sun, T. Tolba, G.F. Cao, P. Lv, L.J. Wen, A. Odian, F. Vachon, A. Alamre, J.B. Albert, G. Anton, I.J. Arnquist, I. Badhrees, P.S. Barbeau, D. Beck, V. Belov, T. Bhatta, F. Bourque, J. P. Brodsky, E. Brown, T. Brunner, A. Burenkov, L. Cao, W.R. Cen, C. Chambers, S.A. Charlebois, M. Chiu, B. Cleveland, M. Coon, M. Côté, A. Craycraft, W. Cree, J. Dalmasson, T. Daniels, L. Darroch, S.J. Daugherty, J. Daughhetee, S. Delaquis, A. Der Mesrobian-Kabakian, R. De; Voe, J. Dilling, Y.Y. Ding, M.J. Dolinski, A. Dragone, J. Echevers, L. Fabris, D. Fairbank, W. Fairbank, J. Farine, S. Feyzbakhsh, P. Fierlinger, R. Fontaine, D. Fudenberg, G. Gallina, G. Giacomini, R. Gornea, G. Gratta, E.V. Hansen, D. Harris, M. Heffner, E. W. Hoppe, J. Hößl, A. House, P. Hufschmidt, M. Hughes, Y. Ito, A. Iverson, A. Jamil, C. Jessiman, M.J. Jewell, X.S. Jiang, A. Karelin, L.J. Kaufman, D. Kodroff, T. Koffas, S. Kravitz, R. Krücken, A. Kuchenkov, K.S. Kumar, Y. Lan, A. Larson, D.S. Leonard, G. Li, S. Li, Z. Li, C. Licciardi, Y.H. Lin, R. Mac; Lellan, T. Michel, M. Moe, B. Mong, D.C. Moore, K. Murray, R.J. Newby, Z. Ning, O. Njoya, F. Nolet, O. Nusair, K. Odgers, M. Oriunno, J.L. Orrell, G. S. Ortega, I. Ostrovskiy, C.T. Overman, S. Parent, A. Piepke, A. Pocar, J.-F. Pratte, D. Qiu, V. Radeka, E. Raguzin, T. Rao, S. Rescia, F. Retière, A. Robinson, T. Rossignol, P.C. Rowson, N. Roy, R. Saldanha, S. Sangiorgio, S. Schmidt, J. Schneider, D. Sinclair, K. Skarpaas VIII, A.K. Soma, G. St-Hilaire, V. Stekhanov, T. Stiegler, M. Tarka, J. Todd, T.I. Totev, R. Tsang, T. Tsang, B. Veenstra, V. Veeraraghavan, G. Visser, J.-L. Vuilleumier, M. Wagenpfeil, Q. Wang, J. Watkins, M. Weber, W. Wei, U. Wichoski, G. Wrede, S.X. Wu, W.H. Wu, Q. Xia, L. Yang, Y.-R. Yen, O. Zeldovich, J. Zhao, Y. Zhou and T. Ziegler
Institute of Physics Publishing (IOP)
Published 2018